Koji je princip rada MOSFET-a?

Naslov MOSFET-a (kratica tranzistora s efektom polja (FET)).MOSFET. malim brojem nosača koji sudjeluju u toplinskoj vodljivosti, također poznat kao višepolni spojni tranzistor. Kategoriziran je kao naponski upravljani polusupravodički uređaj. Postojeći izlazni otpor je visok (10 ^ 8 ~ 10 ^ 9 Ω), nizak šum, niska potrošnja energije, statički raspon, lako se integrira, nema drugog fenomena kvara, zadatak osiguranja širokog mora i druge prednosti, sada su promijenile bipolarni spojni tranzistor i energetski spojni tranzistor jakih suradnika.

Karakteristike MOSFET-a

Prvo: MOSFET je uređaj za upravljanje naponom, preko VGS (napon izvora vrata) do glavnog ID-a (odvod DC);

Drugi:MOSFET-oviizlazni DC je vrlo mali, tako da je njegov izlazni otpor vrlo velik.

Tri: primjenjuje se nekoliko nosača za provođenje topline, pa stoga ima bolju mjeru stabilnosti;

Četiri: sastoji se od smanjenog puta električnog smanjenja malih koeficijenata da bude manji od tranzistora sastoji se od smanjenog puta električnog smanjenja malih koeficijenata;

Peto: MOSFET snaga protiv zračenja;

Šesto: jer nema neispravne aktivnosti manjinske disperzije uzrokovane raspršenim česticama buke, jer je buka niska.

MOSFET princip zadatka

MOSFETnačelo zadatka u jednoj rečenici, to jest, "hod odvoda - izvora kroz kanal između ID-a, s elektrodom i kanalom između pn konstruiranog u napon elektrode obrnute prednapone za ovladavanje ID-om". Točnije, amplituda ID-a preko kruga, to jest, površina presjeka kanala, to je varijacija suprotnog pristranog pn spoja, pojava osiromašenog sloja za proširenje varijacije ovladavanja razlogom. U nezasićenom moru od VGS=0, širenje naznačenog prijelaznog sloja nije jako veliko jer, prema magnetskom polju VDS dodanog između odvoda i izvora, neke elektrone u izvornom moru povlači odvod , tj. postoji DC ID aktivnost od odvoda do izvora. Umjereni sloj koji se širi od vrata do odvoda formirat će tip blokade cijelog tijela kanala, ID pun. Nazovite ovaj uzorak pinch-off. Ovo simbolizira da prijelazni sloj opstruira cijeli kanal, a nije da je DC odsječen.

U prijelaznom sloju, jer nema vlastitog gibanja elektrona i rupa, u stvarnom obliku izolacijskih karakteristika postojanja opće istosmjerne struje teško je kretati. Međutim, magnetsko polje između odvoda i izvora, u praksi, dva prijelazna sloja kontaktiraju odvod i pol vrata dolje lijevo, jer drift magnetsko polje vuče elektrone velike brzine kroz prijelazni sloj. Budući da snaga drift magnetskog polja jednostavno ne mijenja punoću ID scene. Drugo, mijenja se VGS u negativnu poziciju, tako da je VGS = VGS (isključeno), tada prijelazni sloj uvelike mijenja oblik pokrivajući cijelo more. A magnetsko polje VDS-a uvelike se dodaje prijelaznom sloju, magnetskom polju koje vuče elektron u položaj pomicanja, sve dok je blizu polu izvora vrlo kratkog sve, što je više tako da istosmjerna struja nije u stanju stagnirati.