Analiza parametara i mjerenje MOSFET-a

Vrijeme objave: 7. srpnja 2024

Postoji mnogo vrsta glavnih parametaraMOSFET, koji sadrže parametre istosmjerne struje, izmjenične struje i granične parametre, ali opća primjena treba voditi računa samo o sljedećim osnovnim parametrima: stanje zasićenja struje izvora curenja, IDSS napon klizanja Up, transkonduktivnost gm, napon proboja izvora curenja BUDS, veći gubitak izlazne snage PDSM i veća struja izvora curenja IDSM.

1. Zasićena struja izvora curenja

Zasićena struja odvod-izvor IDSS znači struju odvod-izvor pri naponu vrata UGS = 0 u MOSFET-ovima sa spojnim ili osiromašenim vratima s izoliranim slojem.

2. Clip-off napon

Pinch-off napon UP znači radni napon gejta u vratima izoliranog sloja spoja ili osiromašenog tipaMOSFETto čini odvodni izvor samo odsječenim. Shvatite što zapravo znače IDSS i UP.

3、Uključite napon

Napon uključivanja UT znači radni napon gejta u ojačanom MOSFET-u s izoliranim gejtom tako da je međukonekcija odvod-izvor upravo uključena. Shvatite što UT zapravo znači.

4.Unakrsno vođenje

Transguide gm se koristi za označavanje sposobnosti napona izvora vrata da kontrolira struju odvoda, to jest, omjer između promjene struje odvoda i promjene napona izvora vrata.

5、Maksimalni gubitak izlazne snager

Maksimalni gubitak izlazne snage također pripada graničnom parametru, što znači maksimalni gubitak snage odvod-izvor koji se može dopustiti kada je izvedbaMOSFETje normalno i nepromijenjeno. Kada koristimo MOSFET, njegov funkcionalni gubitak trebao bi biti manji od PDSM-a i određene vrijednosti.

6、Maksimalna struja izvora curenja

Maksimalna struja odvod-izvor, IDSM, također je ograničavajući parametar, što znači maksimalnu struju dopuštenu da prođe između odvoda i izvora MOSFET-a tijekom normalnog rada i ne smije se premašiti kada MOSFET radi.

olukey je postao jedan od najboljih i najbrže rastućih agenata u Aziji kroz aktivni razvoj tržišta i učinkovitu integraciju resursa, a postati najvrjedniji agent na svijetu zajednički je cilj olukeya.