Ovo je zapakiranoMOSFETpiroelektrični infracrveni senzor. Pravokutni okvir je senzorski prozor. G pin je terminal za uzemljenje, D pin je unutarnji MOSFET odvod, a S pin je unutarnji MOSFET izvor. U krugu, G je spojen na masu, D je spojen na pozitivno napajanje, infracrveni signali ulaze iz prozora, a električni signali izlaze iz S.
Sudbena vrata G
MOS pokretački program uglavnom igra ulogu oblikovanja valnog oblika i poboljšanja pogona: ako je valni oblik G signalaMOSFETnije dovoljno strma, uzrokovat će veliki gubitak snage tijekom faze prebacivanja. Njegova nuspojava je smanjenje učinkovitosti pretvorbe kruga. MOSFET će imati jaku temperaturu i lako će se oštetiti toplinom. Između MOSFETGS postoji određeni kapacitet. , ako je sposobnost pokretanja signala G nedovoljna, to će ozbiljno utjecati na vrijeme skoka valnog oblika.
Kratko spojite GS pol, odaberite razinu R×1 multimetra, spojite crni ispitni kabel na S pol, a crveni ispitni kabel na D pol. Otpor bi trebao biti od nekoliko Ω do više od deset Ω. Ako se utvrdi da je otpor određene igle i njezina dva pina beskonačan, a još uvijek je beskonačan nakon izmjene ispitnih vodova, potvrđuje se da je ta igla G pol, jer je izolirana od druga dva igla.
Odredite izvor S i odvod D
Postavite multimetar na R×1k i izmjerite otpor između tri igle. Upotrijebite metodu zamjene ispitnog kabla za dva mjerenja otpora. Onaj s nižom vrijednošću otpora (općenito nekoliko tisuća Ω do više od deset tisuća Ω) je prednji otpor. U ovom trenutku, crni ispitni kabel je S pol, a crveni ispitni kabel spojen je na D pol. Zbog različitih uvjeta ispitivanja, izmjerena RDS(on) vrijednost je viša od tipične vrijednosti navedene u priručniku.
OkoMOSFET
Tranzistor ima N-tip kanala pa se naziva N-kanalMOSFET, iliNMOS. Također postoji P-kanalni MOS (PMOS) FET, koji je PMOSFET sastavljen od lagano dopiranog N-tipa BACKGATE-a i P-tipa izvora i odvoda.
Bez obzira na MOSFET N-tipa ili P-tipa, njegov princip rada je u biti isti. MOSFET kontrolira struju na odvodu izlaznog terminala naponom primijenjenim na vrata ulaznog terminala. MOSFET je naponski kontroliran uređaj. On kontrolira karakteristike uređaja putem napona primijenjenog na vrata. Ne uzrokuje učinak skladištenja naboja uzrokovan baznom strujom kada se tranzistor koristi za prebacivanje. Stoga, u promjeni aplikacija,MOSFET-ovitrebali bi se prebacivati brže od tranzistora.
FET je također dobio ime po činjenici da njegov ulaz (koji se naziva vrata) utječe na struju koja teče kroz tranzistor projiciranjem električnog polja na izolacijski sloj. Zapravo, struja ne teče kroz ovaj izolator, tako da je GATE struja FET cijevi vrlo mala.
Najčešći FET koristi tanki sloj silicijeva dioksida kao izolator ispod GATE-a.
Ovaj tip tranzistora naziva se tranzistor metalnog oksida poluvodiča (MOS) ili poluvodički tranzistor metalnog oksida s efektom polja (MOSFET). Budući da su MOSFET-ovi manji i energetski učinkovitiji, zamijenili su bipolarne tranzistore u mnogim primjenama.
Vrijeme objave: 10. studenoga 2023
