Koja je upotreba MOSFET-a?

MOSFET-ovinaširoko se koriste. Sada se neki veliki integrirani krugovi koriste MOSFET, osnovna funkcija i BJT tranzistor, su prebacivanje i pojačanje. Uglavnom, BJT trioda se može koristiti tamo gdje se može koristiti, a na nekim mjestima performanse su bolje od triode.

 

Pojačanje MOSFET-a

MOSFET i BJT trioda, iako su oba poluvodička pojačala, ali imaju više prednosti od triode, kao što je visoki ulazni otpor, izvor signala gotovo da nema struje, što pogoduje stabilnosti ulaznog signala. To je idealan uređaj kao pojačalo ulaznog stupnja, a također ima prednosti niskog šuma i dobre temperaturne stabilnosti. Često se koristi kao pretpojačalo za krugove audio pojačanja. Međutim, budući da je to strujni uređaj kontroliran naponom, struja odvoda je kontrolirana naponom između izvora vrata, koeficijent pojačanja niskofrekventne transkonduktivnosti općenito nije velik, tako da je sposobnost pojačanja loša.

 

Preklopni učinak MOSFET-a

MOSFET koji se koristi kao elektronički prekidač, jer se oslanja samo na polionsku vodljivost, ne postoji kao što je BJT trioda zbog bazne struje i efekta skladištenja naboja, tako da je brzina prebacivanja MOSFET-a brža od triode, kao preklopne cijevi često se koristi za visokofrekventne prilike visoke struje, kao što su prekidački izvori napajanja koji se koriste u MOSFET-u u visokofrekventnom visokostrujnom stanju rada. U usporedbi s BJT triodnim sklopkama, MOSFET sklopke mogu raditi na manjim naponima i strujama i lakše ih je integrirati na silikonske pločice, tako da se široko koriste u velikim integriranim krugovima.

Koje su mjere opreza pri uporabiMOSFET-ovi?

MOSFET-ovi su osjetljiviji od trioda i lako se mogu oštetiti nestručnom uporabom, stoga treba biti posebno oprezan pri njihovoj uporabi.

(1) Potrebno je odabrati odgovarajući tip MOSFET-a za različite prilike uporabe.

(2) MOSFET-ovi, posebno MOSFET-ovi s izoliranim vratima, imaju visoku ulaznu impedanciju i trebaju biti kratko spojeni na svaku elektrodu kada se ne koriste kako bi se izbjeglo oštećenje cijevi zbog naboja induktiviteta vrata.

(3) Napon izvora spoja spojnih MOSFET-a ne može se preokrenuti, ali se može spremiti u stanju otvorenog kruga.

(4) Kako bi se održala visoka ulazna impedancija MOSFET-a, cijev treba zaštititi od vlage i držati je suhom u okruženju u kojem se koristi.

(5) Nabijeni objekti (kao što je lemilo, ispitni instrumenti, itd.) u kontaktu s MOSFET-om moraju biti uzemljeni kako bi se izbjeglo oštećenje cijevi. Osobito kod zavarivanja MOSFET-a s izoliranim vratima, prema redoslijedu zavarivanja izvor - vrata, najbolje je zavarivati ​​nakon isključivanja napajanja. Prikladna je snaga lemilice od 15 ~ 30 W, vrijeme zavarivanja ne smije biti duže od 10 sekundi.

(6) MOSFET s izoliranim vratima ne može se testirati multimetrom, može se testirati samo ispitivačem, a tek nakon pristupa ispitivaču radi uklanjanja kratkospojnog ožičenja elektroda. Nakon uklanjanja, potrebno je kratko spojiti elektrode prije uklanjanja kako bi se izbjegla prevjesnost vrata.

(7) Prilikom korištenjaMOSFET-ovikod supstratnih vodova, supstratni vodovi trebaju biti pravilno spojeni.