Izbor MOSFET-a | Načela konstrukcije N-kanalnog MOSFET-a

MOSFET koji se sastoji od supstrata p-tipa i dva područja n-širenja s visokim vrijednostima koncentracije naziva se n-kanalMOSFET, a vodljivi kanal uzrokovan vodljivim kanalom n-tipa uzrokovan je stazama n-širenja u dvije staze n-širenja s visokim vrijednostima koncentracije kada cijev provodi. n-kanalni podebljani MOSFET-ovi imaju n-kanal uzrokovan vodljivim kanalom kada se pozitivna smjerna prednapon podigne što je više moguće na vratima i samo kada rad izvora vrata zahtijeva radni napon koji prelazi napon praga. n-channel depletion MOSFET-ovi su oni koji nisu spremni za napon vrata (rad izvora izvora zahtjeva radni napon jednak nuli). n-kanalni MOSFET sa osiromašenim svjetlom je n-kanalni MOSFET u kojem vodljivi kanal nastaje kada napon gejta (radni napon izvora gejta je nula) nije pripremljen.

      NMOSFET integrirani krugovi su N-kanalni MOSFET krug napajanja, NMOSFET integrirani krugovi, ulazni otpor je vrlo visok, velika većina ne mora probaviti apsorpciju protoka snage, pa su CMOSFET i NMOSFET integrirani krugovi povezani bez potrebe za uzimanjem u obzir računati opterećenje protoka snage.NMOSFET integrirani krugovi, velika većina odabira jednogrupnog pozitivnog sklopnog kruga napajanja strujnih krugova Većina NMOSFET integriranih krugova koristi jedan pozitivni prekidački sklop napajanja strujnog kruga, i za 9V za više. CMOSFET integrirani krugovi trebaju samo koristiti isti krug sklopnog napajanja kao i NMOSFET integrirani krugovi, mogu se odmah povezati s NMOSFET integriranim krugovima. Međutim, od NMOSFET-a do CMOSFET-a odmah je spojen, jer je NMOSFET izlazni otpor privlačenja manji od CMOSFET integriranog kruga ključnog otpora privlačenja, pa pokušajte primijeniti potencijalnu razliku pull-up otpornika R, vrijednost otpornika R je općenito 2 do 100KΩ.