MOSFET-ovi (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) često se smatraju potpuno kontroliranim uređajima. To je zato što je radno stanje (uključeno ili isključeno) MOSFET-a potpuno kontrolirano naponom vrata (Vgs) i ne ovisi o struji baze kao u slučaju bipolarnog tranzistora (BJT).
U MOSFET-u, napon gejta Vgs određuje hoće li se formirati vodljivi kanal između izvora i odvoda, kao i širinu i vodljivost vodljivog kanala. Kada Vgs prijeđe napon praga Vt, formira se vodljivi kanal i MOSFET ulazi u uključeno stanje; kada Vgs padne ispod Vt, provodni kanal nestaje i MOSFET je u stanju prekida. Ova kontrola je potpuno kontrolirana jer napon vrata može neovisno i precizno kontrolirati radno stanje MOSFET-a bez oslanjanja na druge parametre struje ili napona.
Nasuprot tome, na radno stanje polureguliranih uređaja (npr. tiristora) ne utječe samo upravljački napon ili struja, već i drugi čimbenici (npr. anodni napon, struja itd.). Kao rezultat toga, potpuno kontrolirani uređaji (npr. MOSFET-ovi) obično nude bolje performanse u smislu točnosti upravljanja i fleksibilnosti.
Ukratko, MOSFET-ovi su potpuno kontrolirani uređaji čije je radno stanje u potpunosti kontrolirano naponom vrata, a imaju prednosti visoke preciznosti, visoke fleksibilnosti i male potrošnje energije.
Vrijeme objave: 20. rujna 2024
