U današnje vrijeme, s brzim razvojem znanosti i tehnologije, poluvodiči se koriste u sve više industrija, u kojima seMOSFET Također se smatra vrlo uobičajenim poluvodičkim uređajem, sljedeći korak je razumjeti koja je razlika između karakteristika bipolarnog kristalnog tranzistora snage i MOSFET-a izlazne snage.
1, način rada
MOSFET je rad potreban za promicanje radnog napona, dijagrami strujnog kruga objasniti relativno jednostavno, promicati snagu male; kristalni tranzistor snage je protok energije za promicanje programskog dizajna je složeniji, za promicanje specifikacije izbora teško promicati specifikacija će ugroziti napajanje ukupne brzine prebacivanja.
2, ukupna brzina prebacivanja napajanja
MOSFET pod utjecajem temperature je mali, izlazna snaga napajanja može osigurati više od 150KHz; energetski kristalni tranzistor ima vrlo malo slobodnog vremena pohranjivanja punjenja i ograničava njegovu brzinu prebacivanja napajanja, ali njegova izlazna snaga općenito nije veća od 50 kHz.
3、Sigurno radno područje
Snaga MOSFET nema sekundarne osnove, a sigurno radno područje je široko; energetski kristalni tranzistor ima sekundarnu bazu, koja ograničava sigurno radno područje.
4、Radni napon električnog vodiča
VlastMOSFET pripada visokonaponskom tipu, radni zahtjev za kondukcijom radni napon je veći, postoji pozitivan temperaturni koeficijent; energetski kristalni tranzistor bez obzira na to koliko je novac otporan na radni zahtjev radni napon, električni vodič radni zahtjev radni napon je niži i ima negativan temperaturni koeficijent.
5, maksimalni protok snage
Snaga MOSFET u sklopnom krugu napajanja krugu napajanja krugu napajanja krugu napajanja kao prekidaču napajanja, u radu i stabilnom radu u sredini, maksimalni protok snage je manji; i energetski kristalni tranzistor u radu i stabilan rad u sredini, maksimalni protok snage je veći.
6、Cijena proizvoda
Cijena MOSFET-a za napajanje je nešto viša; cijena snage kristalne triode je nešto niža.
7、Efekt penetracije
Power MOSFET nema učinak prodora; energetski kristalni tranzistor ima učinak prodora.
8、Preklopni gubitak
Preklopni gubitak MOSFET-a nije velik; gubitak sklopke energetskog kristalnog tranzistora je relativno velik.
Osim toga, velika većina snažnih MOSFET-ova integrirana je dioda za amortizaciju udara, dok bipolarni tranzistor snage gotovo nema integriranu diodu za amortizaciju šoka. MOSFET dioda za amortizaciju šoka također može biti univerzalni magnet za prebacivanje strujnih krugova magnetskih zavojnica kako bi se dobio kut faktora snage. sigurnosnog kanala protoka snage. Cijev s efektom polja u diodi koja apsorbira udarce u cijelom procesu isključivanja s općom diodom kao postojanje obrnutog protoka struje oporavka, u ovom trenutku dioda s jedne strane preuzima odvodno - izvorni pol pozitivan u sredini značajnog porast radnih zahtjeva radnog napona, s druge strane, i obrnuti tok povratne struje.
Vrijeme objave: 23. svibnja 2024
