I. Definicija MOSFET-a
Kao naponski pokretani uređaji velike struje, MOSFET-ovi imaju veliki broj primjena u strujnim krugovima, posebno elektroenergetskim sustavima. MOSFET kućište diode, također poznate kao parazitne diode, ne nalaze se u litografiji integriranih krugova, ali se nalaze u odvojenim MOSFET uređajima, koji pružaju zaštitu od suprotnog smjera i nastavak struje kada ih pokreću visoke struje i kada su prisutna induktivna opterećenja.
Zbog prisutnosti ove diode, MOSFET uređaj se ne može jednostavno vidjeti kako se prebacuje u strujnom krugu, kao u krugu punjenja gdje je punjenje završeno, napajanje se prekida i baterija se okreće prema van, što je obično neželjeni rezultat.
Općenito rješenje je dodati diodu straga kako bi se spriječilo obrnuto napajanje, ali karakteristike diode određuju potrebu za padom napona prema naprijed od 0,6~1V, što rezultira ozbiljnim stvaranjem topline pri velikim strujama, a istovremeno uzrokuje gubitak energije i smanjenje ukupne energetske učinkovitosti. Druga metoda je dodavanje MOSFET-a jedan uz drugoga, korištenjem niskog otpora MOSFET-a na uključivanje za postizanje energetske učinkovitosti.
Treba napomenuti da je nakon provođenja, MOSFET neusmjeren, tako da je nakon provođenja pod tlakom, ekvivalentan žici, samo otporan, bez pada napona u stanju uključenosti, obično zasićen otporom na nekoliko miliohma dopravovremeni miliohmi, i neusmjereni, omogućujući prolaz istosmjerne i izmjenične struje.
II. Karakteristike MOSFET-a
1, MOSFET je uređaj kontroliran naponom, nije potreban pogonski stupanj za pokretanje visokih struja;
2、Visoki ulazni otpor;
3, širok raspon radnih frekvencija, velika brzina prebacivanja, mali gubitak
4, AC ugodna visoka impedancija, niska buka.
5,Višestruka paralelna uporaba, povećanje izlazne struje
Drugo, korištenje MOSFET-a u procesu mjera opreza
1, kako bi se osigurala sigurna uporaba MOSFET-a, u dizajnu vodova, ne bi trebalo premašiti rasipanje snage cjevovoda, maksimalni napon izvora curenja, napon izvora vrata i struju i druge granične vrijednosti parametara.
2, razne vrste MOSFET-a u uporabi, morajubiti strogo in u skladu s potrebnim prednaponskim pristupom krugu, kako bi se poštivao polaritet pomaka MOSFET-a.
3. Prilikom ugradnje MOSFET-a, obratite pozornost na položaj ugradnje kako biste izbjegli blizinu grijaćeg elementa. Kako bi se spriječile vibracije okova, školjka mora biti zategnuta; savijanje izvoda zatika trebalo bi biti izvedeno na veličini korijena većoj od 5 mm kako bi se spriječilo savijanje zatika i curenje.
4, zbog izuzetno visoke ulazne impedancije, MOSFET-ovi se moraju kratko spojiti s pinom tijekom transporta i skladištenja, te pakirati s metalnom oklopom kako bi se spriječio vanjski inducirani potencijalni kvar vrata.
5. Napon gejta spojnih MOSFET-ova ne može se preokrenuti i može se pohraniti u stanju otvorenog strujnog kruga, ali ulazni otpor MOSFET-ova s izoliranim gejtom je vrlo visok kada se ne koriste, tako da svaka elektroda mora biti kratko spojena. Prilikom lemljenja MOSFET-a s izoliranim vratima, slijedite redoslijed izvor-odvod-vrata i lemite s isključenim napajanjem.
Kako biste osigurali sigurnu upotrebu MOSFET-a, morate u potpunosti razumjeti karakteristike MOSFET-a i mjere opreza koje treba poduzeti pri korištenju procesa, nadam se da će vam gornji sažetak pomoći.
Vrijeme objave: 15. svibnja 2024
