Postoje mnoge varijacije simbola krugova koji se obično koriste za MOSFET-ove. Najčešći dizajn je ravna linija koja predstavlja kanal, dvije linije okomite na kanal predstavljaju izvor i odvod, te kraća linija paralelna s kanalom na lijevoj strani koja predstavlja vrata. Ponekad je ravna linija koja predstavlja kanal također zamijenjena isprekidanom linijom kako bi se razlikovao način poboljšanjamosfet ili depletion mode mosfet, koji se također dijeli na N-kanalni MOSFET i P-kanalni MOSFET dvije vrste simbola kruga kao što je prikazano na slici (smjer strelice je drugačiji).
Power MOSFETs rade na dva glavna načina:
(1) Kada se pozitivni napon doda D i S (odvod pozitivan, izvor negativan) i UGS=0, PN spoj u području tijela P i području odvoda N ima obrnutu prednapon i nema struje koja prolazi između D i S. Ako se pozitivni napon UGS doda između G i S, neće teći struja vrata jer su vrata izolirana, ali pozitivni napon na vratima će gurnuti rupe dalje od područja P ispod, a manjinski nositelji elektrona će biti privučeni površinom P regije Kada je UGS veći od određenog napona UT, koncentracija elektrona na površini P regije ispod vrata će premašiti koncentraciju rupa, čineći tako poluvodič P-tipa sloj antišablona N-tipa poluvodiča ; ovaj antipattern sloj formira kanal N-tipa između sorsa i odvoda, tako da PN spoj nestaje, sors i odvod su vodljivi, a odvodna struja ID teče kroz odvod. UT se naziva naponom uključivanja ili naponom praga, a što više UGS premašuje UT, to je sposobnost vodljivosti veća, a ID je veći. Što je UGS veći od UT, to je jača vodljivost, veći je ID.
(2) Kada je D, S plus negativni napon (izvor pozitivan, odvod negativan), PN spoj je prednapredan, što je ekvivalentno internoj reverznoj diodi (nema karakteristike brzog odziva), to jest,MOSFET nema sposobnost reverznog blokiranja, može se smatrati komponentama inverzne vodljivosti.
od straneMOSFET može se vidjeti princip rada, njegovo provođenje samo jednog nositelja polariteta koji je uključen u vodljivost, tako da je poznat i kao unipolarni tranzistor. MOSFET pogon se često temelji na parametrima napajanja IC i MOSFET za odabir odgovarajućeg kruga, MOSFET se općenito koristi za prebacivanje pogonski krug napajanja. Prilikom projektiranja prekidačkog napajanja pomoću MOSFET-a, većina ljudi uzima u obzir otpor pri uključivanju, maksimalni napon i maksimalnu struju MOSFET-a. Međutim, ljudi vrlo često uzimaju u obzir te čimbenike samo kako bi sklop mogao ispravno raditi, ali to nije dobro projektno rješenje. Za detaljniji dizajn, MOSFET također treba uzeti u obzir informacije o vlastitim parametrima. Za određeni MOSFET, njegov pogonski krug, vršna struja pogonskog izlaza, itd., utjecat će na performanse prebacivanja MOSFET-a.
Vrijeme objave: 17. svibnja 2024
