Zahtjevi za pogonski krug MOSFET-a

Vrijeme objave: 24. srpnja 2024

S današnjim MOS drajverima postoji nekoliko izvanrednih zahtjeva:

1. Primjena niskog napona

Kada se primjena sklopke od 5Vnapajanje, u ovom trenutku ako se koristi tradicionalna struktura totemskog stupa, jer trioda ima samo 0,7 V gore-dolje gubitak, što rezultira određenim konačnim opterećenjem vrata na naponu je samo 4,3 V, u ovom trenutku, korištenje dopuštenog napona vrata od 4,5 VMOSFET-ovi postoji određeni stupanj rizika.Ista situacija također se javlja u primjeni 3V ili drugog niskonaponskog prekidačkog napajanja.

2. Široka primjena napona

Napon ključanja nema numeričku vrijednost, varira s vremena na vrijeme ili zbog drugih čimbenika. Ova varijacija uzrokuje nestabilan pogonski napon koji PWM krug daje MOSFET-u.

Kako bi se MOSFET bolje osigurao pri visokim naponima na vratima, mnogi MOSFET-ovi imaju ugrađene regulatore napona za prisilno ograničavanje veličine napona na vratima. U ovom slučaju, kada pogonski napon premaši napon regulatora, dolazi do velikog gubitka statičke funkcije.

U isto vrijeme, ako se osnovni princip otporničkog djelitelja napona koristi za smanjenje napona vrata, dogodit će se da ako je napon ključa veći, MOSFET radi dobro, a ako je napon ključa smanjen, napon vrata nije dovoljno, što rezultira nedovoljnim uključivanjem i isključivanjem, što će povećati funkcionalni gubitak.

MOSFET prekostrujni zaštitni krug za izbjegavanje nesreća s pregorjevanjem napajanja (1)

3. Primjene s dvostrukim naponom

U nekim upravljačkim krugovima, logički dio sklopa primjenjuje tipični podatkovni napon od 5 V ili 3,3 V, dok dio izlazne snage primjenjuje 12 V ili više, a dva su napona spojena na zajedničko uzemljenje.

Ovo jasno pokazuje da se strujni krug mora koristiti tako da niskonaponska strana može razumno manipulirati visokonaponskim MOSFET-om, dok će se visokonaponski MOSFET moći nositi s istim poteškoćama spomenutim u 1 i 2.

U ova tri slučaja, konstrukcija totemskog stupa ne može zadovoljiti izlazne zahtjeve, a čini se da mnogi postojeći MOS pogonski IC-ovi ne uključuju konstrukciju ograničenja napona vrata.