Analiza važnih uzroka stvaranja topline MOSFET-a

N tip, P tip MOSFET princip rada suštine je isti, MOSFET se uglavnom dodaje na ulaznu stranu napona vrata kako bi se uspješno kontrolirala izlazna strana odvodne struje, MOSFET je naponski kontrolirani uređaj, kroz napon dodan na vrata za kontrolu karakteristika uređaja, za razliku od triode za vrijeme prebacivanja zbog bazne struje uzrokovane učinkom pohrane naboja, u aplikacijama za prebacivanje, MOSFET-ovi U aplikacijama za prebacivanje,MOSFET-ovi brzina prebacivanja je brža nego kod triode.

U prekidačkom napajanju, uobičajeno korištenom MOSFET krugu otvorenog odvoda, odvod je spojen na opterećenje kakav jest, naziva se otvoreni odvod, krug otvorenog odvoda, opterećenje je povezano s visinom napona, može se uključiti, isključiti struja opterećenja, idealan je analogni sklopni uređaj, što je načelo MOSFET-a za sklopne uređaje, MOSFET za prebacivanje u obliku više sklopova.

Što se tiče aplikacija sklopnog napajanja, ova aplikacija zahtijeva MOSFET-ovi povremeno provesti, isključiti, kao što je DC-DC napajanje koje se obično koristi u osnovnom buck pretvaraču oslanja se na dva MOSFET-a za obavljanje funkcije prebacivanja, ti prekidači naizmjence u induktoru za pohranjivanje energije, otpuštanje energije opterećenju, često odabir stotine kHz ili čak više od 1 MHz, uglavnom zato što je tada veća frekvencija, manje su magnetske komponente. Tijekom normalnog rada, MOSFET je ekvivalentan vodiču, na primjer, MOSFET velike snage, MOSFET malog napona, sklopovi, napajanje je minimalni gubitak vodljivosti MOS-a.

MOSFET PDF parametri, proizvođači MOSFET-a uspješno su usvojili RDS (ON) parametar za definiranje impedancije uključenog stanja, za komutacijske aplikacije, RDS (ON) je najvažnija karakteristika uređaja; podatkovne tablice definiraju RDS (ON), napon vrata (ili pogona) VGS i struja koja teče kroz prekidač su povezani, za odgovarajući pogon vrata, RDS (ON) je relativno statički parametar; MOSFET-ovi koji su bili u vodljivosti skloni su stvaranju topline, a polagano povećanje temperature spoja može dovesti do povećanja RDS (ON);MOSFET podatkovne tablice određuju parametar toplinske impedancije, koji se definira kao sposobnost poluvodičkog spoja MOSFET paketa da rasipa toplinu, a RθJC se jednostavno definira kao toplinska impedancija spoja na kućište.

1, frekvencija je previsoka, ponekad pretjerano traženje glasnoće, izravno će dovesti do visoke frekvencije, MOSFET na gubitku se povećava, veća je toplina, ne rade dobar posao odgovarajućeg dizajna rasipanja topline, visoka struja, nominalna trenutna vrijednost MOSFET-a, potreba za dobrim odvođenjem topline kako bi se moglo postići; ID je manji od maksimalne struje, može biti ozbiljno zagrijavanje, potreba za odgovarajućim pomoćnim hladnjakima.

2, pogreške odabira MOSFET-a i pogreške u procjeni snage, unutarnji otpor MOSFET-a nije u potpunosti uzet u obzir, izravno će dovesti do povećane impedancije prebacivanja, kada se radi o problemima grijanja MOSFET-a.

3, zbog problema s dizajnom strujnog kruga, što rezultira toplinom, tako da MOSFET radi u linearnom radnom stanju, a ne u stanju prekidanja, što je izravan uzrok zagrijavanja MOSFET-a, na primjer, N-MOS radi prebacivanje, G- nivo napona mora biti viši od napajanja za nekoliko V, kako bi se mogla potpuno voditi, P-MOS je drugačiji; u nedostatku potpuno otvorenog, pad napona je prevelik, što će rezultirati potrošnjom energije, ekvivalentna istosmjerna impedancija je veća, pad napona će se također povećati, U * I će također porasti, gubitak će dovesti do topline.