WSM320N04G N-kanalni 40V 320A TOLL-8L WINSOK MOSFET

kratki opis:

Broj modela:WSM320N04G

BVDSS:40V

RDSON:1,2 mΩ

ID:320A

Kanal:N-kanal

Paket:CESTARINA-8L

Sažetak proizvoda:WSM320N04G MOSFET ima napon od 40 V, struju od 320 A, otpor od 1,2 mΩ, N-kanalni i TOLL-8L paket.

Prijave:Elektroničke cigarete, bežično punjenje, dronovi, medicina, punjenje automobila, kontroleri, digitalni proizvodi, mali kućanski aparati, potrošačka elektronika.

Pošaljite nam e-poštu PDF

Pojedinosti o proizvodu

Primjena

Oznake proizvoda

Opći opis

WSM320N04G je MOSFET visokih performansi koji koristi jarak dizajn i ima vrlo visoku gustoću ćelija. Ima izvrstan RDSON i naboj gejta i prikladan je za većinu aplikacija sinkronih pretvarača dolara. WSM320N04G udovoljava zahtjevima RoHS i Green Product i zajamčeno ima 100% EAS i potpunu pouzdanost rada.

Značajke

Napredna Trench tehnologija visoke gustoće ćelija, dok također ima nisko punjenje za optimalnu izvedbu. Osim toga, može se pohvaliti izvrsnim smanjenjem CdV/dt učinka, 100% EAS jamstvom i ekološkom opcijom.

Prijave

Visokofrekventni sinkroni pretvornik u točki opterećenja, mrežni DC-DC sustav napajanja, primjena električnih alata, elektroničke cigarete, bežično punjenje, dronovi, medicina, punjenje automobila, kontroleri, digitalni proizvodi, mali kućanski aparati i potrošačka elektronika.

Važni parametri

Simbol	Parametar	Ocjena	Jedinice
VDS	Napon odvod-izvor	40	V
VGS	Napon vrata-izvora	±20	V
ID@TC=25℃	Kontinuirana struja odvoda, VGS @ 10V1,7	320	A
ID@TC=100 ℃	Kontinuirana struja odvoda, VGS @ 10V1,7	192	A
IDM	Impulsna odvodna struja2	900	A
EAS	Energija lavine jednog pulsa3	980	mJ
MRS	Lavinska struja	70	A
PD@TC=25℃	Ukupna disipacija snage4	250	W
TSTG	Raspon temperature skladištenja	-55 do 175	℃
TJ	Raspon radne temperature spoja	-55 do 175	℃

Simbol	Parametar	Uvjeti	Min.	Tip.	Maks.	Jedinica
BVDSS	Probojni napon odvod-izvor	VGS=0V, ID=250uA	40	---	---	V
△BVDSS/△TJ	BVDSS temperaturni koeficijent	Referenca na 25 ℃, ID=1 mA	---	0,050	---	V/℃
RDS (UKLJ.)	Statički otpor na odvod-izvor2	VGS=10V, ID=25A	---	1.2	1.5	mΩ
RDS (UKLJ.)	Statički otpor na odvod-izvor2	VGS=4,5V, ID=20A	---	1.7	2.5	mΩ
VGS(th)	Napon praga vrata	VGS=VDS, ID =250uA	1.2	1.7	2.6	V
△VGS(th)	VGS(th) temperaturni koeficijent	VGS=VDS, ID =250uA	---	-6,94	---	mV/℃
IDSS	Struja curenja odvod-izvor	VDS=40V, VGS=0V, TJ=25℃	---	---	1	uA
IDSS	Struja curenja odvod-izvor	VDS=40V, VGS=0V, TJ=55℃	---	---	10	uA
IGSS	Struja curenja vrata-izvora	VGS=±20V, VDS=0V	---	---	±100	nA
gfs	Transconductance prema naprijed	VDS=5V, ID=50A	---	160	---	S
Rg	Otpor vrata	VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz	---	1.0	---	Ω
Qg	Ukupna napunjenost vrata (10 V)	VDS=20V, VGS=10V, ID=25A	---	130	---	nC
Qgs	Gate-Source Charge		---	43	---
Qgd	Gate-Drain Charge		---	83	---
Td (uključeno)	Vrijeme odgode uključivanja	VDD=20V, VGEN=4,5V, RG=2,7Ω, ID=1A.	---	30	---	ns
Tr	Vrijeme porasta		---	115	---
Td (isključeno)	Vrijeme odgode isključivanja		---	95	---
Tf	Jesensko vrijeme		---	80	---
Ciss	Ulazni kapacitet	VDS=20V, VGS=0V, f=1MHz	---	8100	---	pF
Coss	Izlazni kapacitet		---	1200	---
Crss	Obrnuti prijenosni kapacitet		---	800	---