WSF70P02 P-kanal -20V -70A TO-252 WINSOK MOSFET

Kratki opis:

Broj modela:WSF70P02

BVDSS:-20V

RDSON:6,8 mΩ

ISKAZNICA:-70A

Kanal:P-kanal

Paket:TO-252

Sažetak proizvoda:WSF70P02 MOSFET ima napon od -20V, struju od -70A, otpor od 6.8mΩ, P-kanal i TO-252 pakiranje.

Prijave:E-cigarete, bežični punjači, motori, rezervni izvori napajanja, dronovi, zdravstvena njega, punjači za automobile, kontroleri, elektronika, uređaji i roba široke potrošnje.

Pošaljite nam e-poštu PDF

Pojedinosti o proizvodu

Primjena

Oznake proizvoda

Opći opis

WSF70P02 MOSFET je vrhunski P-kanalni trench uređaj s visokom gustoćom ćelija.Nudi izvanredan RDSON i gejt naboj za većinu aplikacija sinkronog pretvarača dolara.Uređaj zadovoljava zahtjeve RoHS i Green Product, ima 100% EAS jamstvo i odobren je za potpunu pouzdanost rada.

Značajke

Napredna tehnologija Trench s visokom gustoćom ćelija, super niskim nabojem vrata, izvrsnim smanjenjem CdV/dt učinka, 100% EAS jamstvom i opcijama za ekološki prihvatljive uređaje.

Prijave

Sinkroni visokofrekventni točka opterećenja, pretvarač dolara za MB/NB/UMPC/VGA, mrežni DC-DC sustav napajanja, prekidač opterećenja, e-cigarete, bežično punjenje, motori, napajanje za hitne slučajeve, bespilotne letjelice, medicinska njega, punjači za automobile , kontroleri, digitalni proizvodi, mali kućanski aparati, potrošačka elektronika.

odgovarajući broj materijala

AOS

Važni parametri

Simbol	Parametar	Ocjena		Jedinice
		10s	Stalno stanje
VDS	Napon odvod-izvor	-20		V
VGS	Napon vrata-izvora	±12		V
ID@TC=25℃	Kontinuirana struja odvoda, VGS @ -10V1	-70		A
ID@TC=100 ℃	Kontinuirana struja odvoda, VGS @ -10V1	-36		A
IDM	Impulsna odvodna struja2	-200		A
EAS	Energija lavine jednog impulsa3	360		mJ
MRS	Lavinska struja	-55,4		A
PD@TC=25℃	Ukupna disipacija snage4	80		W
TSTG	Raspon temperature skladištenja	-55 do 150		℃
TJ	Raspon radne temperature spoja	-55 do 150		℃

Simbol	Parametar	Uvjeti	Min.	Tip.	Maks.	Jedinica
BVDSS	Probojni napon odvod-izvor	VGS=0V, ID=-250uA	-20	---	---	V
△BVDSS/△TJ	BVDSS temperaturni koeficijent	Referenca na 25 ℃, ID=-1mA	---	-0,018	---	V/℃
RDS (UKLJ.)	Statički otpor na odvod-izvor2	VGS=-4,5V, ID=-15A	---	6.8	9.0	mΩ
RDS (UKLJ.)	Statički otpor na odvod-izvor2					mΩ
		VGS=-2,5V, ID=-10A	---	8.2	11
VGS(th)	Napon praga vrata	VGS=VDS, ID =-250uA	-0,4	-0,6	-1.2	V
		VGS=VDS, ID =-250uA
△VGS(th)	VGS(th) temperaturni koeficijent		---	2.94	---	mV/℃
IDSS	Struja curenja odvod-izvor	VDS=-20V, VGS=0V, TJ=25 ℃	---	---	1	uA
IDSS	Struja curenja odvod-izvor					uA
		VDS=-20V, VGS=0V, TJ=55 ℃	---	---	5
IGSS	Struja curenja vrata-izvora	VGS=±12V, VDS=0V	---	---	±100	nA
gfs	Transconductance prema naprijed	VDS=-5V, ID=-10A	---	45	---	S
Qg	Ukupna napunjenost vrata (-4,5 V)	VDS=-15V, VGS=-4,5V, ID=-10A	---	63	---	nC
Qgs	Gate-Source Charge		---	9.1	---
Qgd	Gate-Drain Charge		---	13	---
Td (uključeno)	Vrijeme odgode uključivanja	VDD=-10V, VGS=-4,5V, RG=3,3Ω, ID=-10A	---	16	---	ns
Tr	Vrijeme porasta		---	77	---
Td (isključeno)	Vrijeme odgode isključivanja		---	195	---
Tf	Jesensko vrijeme		---	186	---
Ciss	Ulazni kapacitet	VDS=-10V, VGS=0V, f=1MHz	---	5783	---	pF
Coss	Izlazni kapacitet		---	520	---
Crss	Obrnuti prijenosni kapacitet		---	445	---