WSD75100DN56 N-kanalni 75V 100A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

proizvoda

WSD75100DN56 N-kanalni 75V 100A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

Kratki opis:

Broj dijela:WSD75100DN56

BVDSS:75V

ISKAZNICA:100A

RDSON:5,3 mΩ 

Kanal:N-kanal

Paket:DFN5X6-8


Pojedinosti o proizvodu

Primjena

Oznake proizvoda

WINSOK MOSFET pregled proizvoda

Napon WSD75100DN56 MOSFET-a je 75V, struja je 100A, otpor je 5.3mΩ, kanal je N-kanalni, a paket je DFN5X6-8.

Područja primjene WINSOK MOSFET-a

E-cigarete MOSFET, bežično punjenje MOSFET, dronovi MOSFET, medicinska njega MOSFET, auto punjači MOSFET, kontroleri MOSFET, digitalni proizvodi MOSFET, mali kućanski aparati MOSFET, potrošačka elektronika MOSFET.

WINSOK MOSFET odgovara brojevima materijala drugih marki

AOS MOSFET AON6276,AON6278,AON628,AON6282,AON6448.Onsemi,FAIRCHILD MOSFET NVMFS6H824N.STMicroelectronics MOSFET STL1N8F7.INFINEON,IR MOSFET BSC42NE7NS3G,BSC36NE7NS3G.POTENS Semiconductor MOSFET PDC796 6X.

Parametri MOSFET-a

Simbol

Parametar

Ocjena

Jedinice

VDS

Napon odvod-izvor

75

V

VGS

Gate-Source napon

±25

V

TJ

Maksimalna temperatura spoja

150

°C

ID

Raspon temperature skladištenja

-55 do 150

°C

IS

Kontinuirana struja diode, TC=25°C

50

A

ID

Kontinuirana struja odvoda, VGS=10V,TC=25°C

100

A

Kontinuirana struja odvoda, VGS=10V,TC=100°C

73

A

IDM

Impulsna struja odvoda, TC=25°C

400

A

PD

Maksimalna disipacija snage, TC=25°C

155

W

Maksimalna disipacija snage, TC=100°C

62

W

RθJA

Toplinski otpor-spoj prema okolini ,t =10s ̀

20

°C

Toplinska otpornost - spoj prema okolini, stabilno stanje

60

°C

RqJC

Toplinska otpornost - spoj na kućište

0.8

°C

MRS

Lavinska struja, pojedinačni impuls, L=0,5 mH

30

A

EAS

Energija lavine, jedan puls, L=0,5 mH

225

mJ

 

Simbol

Parametar

Uvjeti

Min.

Tip.

Maks.

Jedinica

BVDSS

Probojni napon odvod-izvor VGS=0V , ID=250uA

75

---

---

V

BVDSS/△TJ

BVDSSTemperaturni koeficijent Upućivanje na 25, jaD=1 mA

---

0,043

---

V/

RDS (UKLJ.)

Statički otpor na odvod-izvor2 VGS=10V , ID=25A

---

5.3

6.4

mΩ

VGS(th)

Napon praga vrata VGS=VDS, jaD=250uA

2.0

3.0

4.0

V

VGS(th)

VGS(th)Temperaturni koeficijent

---

-6,94

---

mV/

IDSS

Struja curenja odvod-izvor VDS=48V, VGS=0V , TJ=25

---

---

2

uA

VDS=48V, VGS=0V , TJ=55

---

---

10

IGSS

Struja curenja vrata-izvora VGS=±20V, VDS=0V

---

---

±100

nA

gfs

Transconductance prema naprijed VDS=5V , ID=20A

---

50

---

S

Rg

Otpor vrata VDS=0V , VGS=0V, f=1MHz

---

1.0

2

Ω

Qg

Ukupna napunjenost vrata (10 V) VDS=20V, VGS=10V, ID=40A

---

65

85

nC

Qgs

Gate-Source Charge

---

20

---

Qgd

Gate-Drain Charge

---

17

---

Td (uključeno)

Vrijeme odgode uključivanja VDD=30V, VGEN=10V , RG=1Ω, jaD=1A ,RL=15Ω.

---

27

49

ns

Tr

Vrijeme porasta

---

14

26

Td (isključeno)

Vrijeme odgode isključivanja

---

60

108

Tf

Jesensko vrijeme

---

37

67

Cbr

Ulazni kapacitet VDS=20V, VGS=0V, f=1MHz

3450

3500 4550

pF

Coss

Izlazni kapacitet

245

395

652

Crss

Obrnuti prijenosni kapacitet

100

195

250


  • Prethodna:
  • Sljedeći:

  • Ovdje napišite svoju poruku i pošaljite nam je