WSD6040DN56 N-kanalni 60V 36A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

proizvoda

WSD6040DN56 N-kanalni 60V 36A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

kratki opis:

Broj dijela:WSD6040DN56

BVDSS:60V

ID:36A

RDSON:14 mΩ 

Kanal:N-kanal

Paket:DFN5X6-8


Pojedinosti o proizvodu

Primjena

Oznake proizvoda

WINSOK MOSFET pregled proizvoda

Napon WSD6040DN56 MOSFET-a je 60V, struja je 36A, otpor je 14mΩ, kanal je N-kanalni, a paket je DFN5X6-8.

Područja primjene WINSOK MOSFET-a

E-cigarete MOSFET, bežično punjenje MOSFET, motori MOSFET, dronovi MOSFET, medicinska njega MOSFET, auto punjači MOSFET, kontroleri MOSFET, digitalni proizvodi MOSFET, mali kućanski aparati MOSFET, potrošačka elektronika MOSFET.

WINSOK MOSFET odgovara brojevima materijala drugih marki

AOS MOSFET AON6264C,AON6264E,AON6266E,AONS6662.STMicroelectronics MOSFET STL8DN6LF6AG.PANJIT MOSFET PSMQC12N6LS1.POTENS Semiconductor MOSFET PDC6964X.

Parametri MOSFET-a

Simbol

Parametar

Ocjena

Jedinice

VDS

Napon odvod-izvor

60

V

VGS

Napon vrata-izvora

±20

V

ID

Kontinuirana odvodna struja TC=25°C

36

A

TC=100°C

22

ID

Kontinuirana odvodna struja TA=25°C

8.4

A

TA=100°C

6.8

IDMa

Pulsna odvodna struja TC=25°C

140

A

PD

Maksimalna disipacija snage TC=25°C

37.8

W

TC=100°C

15.1

PD

Maksimalna disipacija snage TA=25°C

2.08

W

TA=70°C

1.33

IAS c

Lavinska struja, pojedinačni impuls

L=0,5 mH

16

A

EASc

Energija lavine jednog pulsa

L=0,5 mH

64

mJ

IS

Kontinuirana struja diode

TC=25°C

18

A

TJ

Maksimalna temperatura spoja

150

TSTG

Raspon temperature skladištenja

-55 do 150

RθJAb

Toplinski otpor Spoj prema okolini

Stalno stanje

60

/W

RθJC

Toplinska otpornost - spoj na kućište

Stalno stanje

3.3

/W

 

Simbol

Parametar

Uvjeti

Min.

Tip.

Maks.

Jedinica

Statički        

V(BR)DSS

Probojni napon odvod-izvor

VGS = 0 V, ID = 250 μA

60    

V

IDSS

Struja odvoda napona nultog vrata

VDS = 48 V, VGS = 0 V

   

1

µA

 

TJ=85°C

   

30

IGSS

Struja propuštanja vrata

VGS = ±20V, VDS = 0V

    ±100

nA

O karakteristikama        

VGS(TH)

Napon praga vrata

VGS = VDS, IDS = 250µA

1

1.6

2.5

V

RDS (uključen)d

Odvodno-izvorni otpor u on-stanju

VGS = 10V, ID = 25A

  14 17.5

VGS = 4,5 V, ID = 20 A

  19

22

Prebacivanje        

Qg

Ukupna ulazna naknada

VDS=30V

VGS=10V

ID=25A

  42  

nC

Qgs

Gate-Sour Charge  

6.4

 

nC

Qgd

Gate-Drain Charge  

9.6

 

nC

td (uključeno)

Vrijeme odgode uključivanja

VGEN=10V

VDD=30V

ID=1A

RG=6Ω

RL=30Ω

  17  

ns

tr

Vrijeme porasta uključivanja  

9

 

ns

td (isključeno)

Vrijeme odgode isključivanja   58  

ns

tf

Turn-off Fall Time   14  

ns

Rg

Gat otpor

VGS=0V, VDS=0V, f=1MHz

 

1.5

 

Ω

Dinamičan        

Ciss

U Kapacitivnost

VGS=0V

VDS=30V f=1MHz

 

2100

 

pF

Coss

Izlazni kapacitet   140  

pF

Crss

Obrnuti prijenosni kapacitet   100  

pF

Karakteristike odvodno-izvorne diode i maksimalne vrijednosti        

IS

Kontinuirana struja izvora

VG=VD=0V , Struja sile

   

18

A

ISM

Pulsna struja izvora3    

35

A

VSDd

Prednji napon diode

ISD = 20A, VGS=0V

 

0.8

1.3

V

trr

Obrnuto vrijeme oporavka

ISD=25A, dlSD/dt=100A/µs

  27  

ns

Qrr

Obrnuta naknada za povrat   33  

nC


  • Prethodna:
  • Sljedeći:

  • Ovdje napišite svoju poruku i pošaljite nam je