WSD100N15DN56G N-kanalni 150V 100A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

Broj dijela:WSD100N15DN56G

BVDSS:150V

ID:100A

RDSON:6mΩ

Kanal:N-kanal

Paket:DFN5X6-8

Pošaljite nam e-poštu PDF

Pojedinosti o proizvodu

Napon WSD100N15DN56G MOSFET-a je 150V, struja je 100A, otpor je 6mΩ, kanal je N-kanalni, a paket je DFN5X6-8.

Medicinski izvori napajanja MOSFET, PDs MOSFET, dronovi MOSFET, elektroničke cigarete MOSFET, glavni uređaji MOSFET i električni alati MOSFET.

Simbol	Parametar	Ocjena	Jedinice
VDS	Napon odvod-izvor	150	V
VGS	Napon vrata-izvora	±20	V
ID	Kontinuirana struja odvoda, V_GS@ 10V(T_C=25 ℃)	100	A
IDM	Pulsna odvodna struja	360	A
EAS	Energija lavine jednog pulsa	400	mJ
P_D	Ukupna disipacija snage..._C=25 ℃)	160	W
RθJA	Toplinska otpornost, spoj-okolina	62	℃/W
RθJC	Toplinska otpornost, spojno kućište	0,78	℃/W
TSTG	Raspon temperature skladištenja	-55 do 175	℃
T_J	Raspon radne temperature spoja	-55 do 175	℃

Simbol	Parametar	Uvjeti	Min.	Tip.	Maks.	Jedinica
BV_DSS	Probojni napon odvod-izvor	V_GS=0V , I_D=250uA	150	---	---	V
RDS (UKLJ.)	Statički otpor na odvod-izvor²	V_GS=10V, I_D=20A	---	9	12	mΩ
VGS(th)	Napon praga vrata	V_GS=V_DS, ja_D=250uA	2.0	3.0	4.0	V
IDSS	Struja curenja odvod-izvor	V_DS=100V , V_GS=0V , T_J=25℃	---	---	1	uA
IGSS	Struja curenja vrata-izvora	V_GS=±20V , V_DS=0V	---	---	±100	nA
Q_g	Ukupna ulazna naknada	V_DS=50V, V_GS=10V, I_D=20A	---	66	---	nC
Q_gs	Gate-Source Charge		---	26	---
Q_gd	Gate-Drain Charge		---	18	---
Td (uključeno)	Vrijeme odgode uključivanja	V_DD=50V,V_GS=10V R_G=2Ω, I_D=20A	---	37	---	ns
T_r	Vrijeme porasta		---	98	---
Td (isključeno)	Vrijeme odgode isključivanja		---	55	---
T_f	Jesensko vrijeme		---	20	---
C_br	Ulazni kapacitet	V_DS=30V, V_GS=0V, f=1MHz	---	5450	---	pF
Coss	Izlazni kapacitet		---	1730	---
C_rss	Obrnuti prijenosni kapacitet		---	195	---